1 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна — презентация

1 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Лекция 3 Биполярные транзисторы Структура, принцип работы 2. Характеристики 3. Схемы включения Мудр  — кто знает нужное, а не многое. Эсхил

Изображение слайда

4 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Биполярные транзисторы

Изображение слайда

5 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Транзистор n-p-n типа Схема распределения токов Эмиттер База Коллектор

Изображение слайда

6 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Взаимосвязь токов - коэффициент передачи тока эмиттера  =0,95...0,99 Выходной ток транзистора: I КБ0 - обратный ток (1) (2)

Изображение слайда

7 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Ток в выводе базы: С учетом (1): Поскольку I Э >>I КБ0, то (3) (4) (5)

Изображение слайда

8 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Ток базы: (6) С учетом (5): или:

Изображение слайда

9 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Отсюда: (7)  - динамический коэффициент передачи тока базы (8)

Изображение слайда

10 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Уменьшение коэффициентов  и  с увеличением частоты

Изображение слайда

11 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Режимы работы транзисторов Нормальный (активный) режим – эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный – в обратном. Инверсный режим – коллекторный переход смещен в прямом направлении, эмиттерный – в обратном.

Изображение слайда

12 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Режимы работы транзисторов Режим отсечки – оба перехода транзистора смещены в обратном направлении. I К =I КБ0 I Э  0 I Б  -I КБ0 Режим насыщения – оба перехода транзистора смещены в прямом направлении. I Kmax <  I Э

Изображение слайда

13 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Параметры, характеризующие транзистор как усилительный элемент Коэффициенты усиления: по току k I =  I ВЫХ /  I ВХ по напряжению k U =  U ВЫХ /  U ВХ по мощности k P =k I /k U =  P ВЫХ /  P ВХ входное сопротивление R ВХ =U ВХ /I ВХ - выходное сопротивление R ВЫХ = U ВЫХ / I ВЫХ

Изображение слайда

14 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общей базой (ОБ)

Изображение слайда

15 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общей базой (ОБ) k U б » 1, так как R Н » R ВХб

Изображение слайда

16 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Характеристики транзисторов Выходные характеристики I К = f(U КБ ) схема с ОБ n-p-n

Изображение слайда

17 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Характеристики транзисторов Выходные характеристики I К = f(U КБ ) p-n-p схема с ОБ

Изображение слайда

18 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Характеристики транзисторов Входные характеристики I Э = f(U ЭБ ) n-p-n схема с ОБ p-n-p

Изображение слайда

19 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общим эмиттером (ОЭ) n-p-n

Изображение слайда

20 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общим эмиттером (ОЭ) k U э » 1, так как R Н » R ВХб

Изображение слайда

21 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Характеристики транзисторов Выходные характеристики I К = f(U КЭ ) n-p-n схема с ОЭ p-n-p

Изображение слайда

22 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Характеристики транзисторов Входные характеристики I Б = f(U БЭ ) n-p-n схема с ОЭ p-n-p

Изображение слайда

23 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общим коллектором (ОК) n-p-n

Изображение слайда

24 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общим коллектором (ОК) т.е. k U к 1

Изображение слайда

25 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Схемы включения транзисторов Схема с общим коллектором (ОК)

Изображение слайда

26 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Влияние температуры на характеристики транзисторов

Изображение слайда

27 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Составной транзистор (схема Дарлингтона)

Изображение слайда

28 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Составной транзистор (схема Дарлингтона)

Изображение слайда

29 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Составной транзистор (схема Дарлингтона)

Изображение слайда

Ток коллектора Здесь

Изображение слайда

Ток коллектора (выходной ток)

Изображение слайда

34 ХНУРЭ Факультет КИУ Кафедра ЭВМ тел. 70-21-354 Биполярные транзисторы Весна 2016 Контрольное задание Какая из схем включения транзистора имеет: а- наибольшее входное сопротивление б – наибольший коэффициент усиления по току в – наибольший коэффициент усиления по напряжению Лучше  совсем не знать чего-либо, чем знать плохо. Публилий Сир

Изображение слайда