Микросхемы (МС) выполняют функции преобразования, хранения, обработки, передачи и приема информации. Микросхемой (интегральной микросхемой — ИМС) называют функционально законченный электронный узел (модуль), элементы и соединения в котором конструктивно неразделимы и изготовлены одновременно в едином технологическом процессе в общем кристалле-основании.
полупроводниковые имеют в своей основе монокристалл полупроводникового материала, в поверхностном слое которого методами литографии и избирательного легирования создаются транзисторы, диоды, резисторы и конденсаторы, а соединения между ними формируются по поверхности кристалла тонкопленочной технологией Бывают однокристальные (монолитные) и многокристальные (микросборки). гибридно-пленочные состоят из пленочных пассивных элементов, коммутационных проводников, нанесенных непосредственно на подложку из изоляционного материала, и бескорпусных полупроводниковых кристаллов (транзисторов, диодов, диодных матриц, несложных ИМС), монтируемых на той же подложке
Степень интеграции характеризуется числом элементов в ИМС. Наиболее высокой степенью интеграции обладают цифровые ИМС с регулярной структурой: схемы динамической и статической памяти, постоянные и перепрограммируемые ЗУ. Степень интеграции КИ микросхемы определяется числом N содержащихся в ней элементарных схем; КИ = [ lg iV ] + 1 где [ lg iV ] — целая часть lgN. Таким образом, микросхема, содержащая до 10 схем, имеет первую степень интеграции (малая ИС), до 100 схем — вторую (средняя ИС), до 1000 схем — третью (БИС), свыше 1000 схем — сверхбольшую ИС (СБИС).
По функциональному назначению ИС делят на логические (цифровые), линейно-импульсные и линейные (аналоговые). Логические ИС используют в ЦВМ, устройствах дискретной автоматики и других цифровых устройствах. К логическим ИС принадлежат микропроцессорные схемы, схемы памяти и другие интегральные схемы, выполняющие логические функции. Линейно-импульсные и линейные ИС применяются в аналоговых вычислительных машинах и в устройствах преобразования информации. К этим ИС относятся различные преобразователи, операционные усилители, компараторы и другие схемы. По конструктивному оформлению ИС делят на корпусные с выводами, корпусные без выводов и бескорпусные. По технологии изготовления ИС разделяют на полупроводниковые и гибридные. Элементы электрической схемы полупроводниковых ИС формируют в объеме и (или) на поверхности полупроводникового материала (подложки). В гибридных ИС пассивную часть схемы выполняют в виде пленок, наносимых на поверхность диэлектрического материала (подложки), а активные элементы, имеющие самостоятельное конструктивное оформление, крепят к поверхности подложки.
Ряд отдельных функциональных микросхем, объединенных по виду технологии изготовления, напряжениям источников питания, входным и выходным сопротивлениям и уровням сигналов, конструктивному оформлению и способам крепления или монтажа, образуют серию ИС. Условное обозначение серии ИС: первый элемент —конструктивно-технологическая разновидность серии: полупроводниковые схемы— 1, 5, 6, 7; гибридные микросхемы — 2, 4, 8; прочие (вакуумные, пленочные, керамические и т.д.) —3; второй элемент — регистрационный порядковый номер серии. Примеры: серия 1801, серия 217.
Состоит из четырехзначного цифрового условного обозначения серии, двух букв, обозначающих подгруппу и вид микросхемы, и порядкового номера разработки микросхемы по функциональному признаку в данной серии. В начале условного обозначения микросхем могут быть буквы: Б – для бескорпусных ИС; буквы К, КМ, КН, КР и КА характеризуют условия их приемки на заводе-изготовителе. Условное обозначение ИС может содержать букву (от А до Я), по которой производят различие ИС одного типа по какому-либо параметру. Примеры: К133ЛР1, Б747ИК1А-1, К1802ВС1.
