Выполнил Яковлев Денис г руппа РФ-4
Изображение слайда
1932 год - выдвинута гипотеза, что на границе металл-полупроводник существует так называемый туннельный эффект носителей заряда 1958 год – японский ученый Есаки сумел подтвердить эту теорию и создал первый туннельный диод
Изображение слайда
Изображение слайда
Изображение слайда
Изображение слайда
Изображение слайда
Изображение слайда
Изображение слайда
Изображение слайда
Изображение слайда
Изображение слайда
Изображение слайда
способен усиливать, генерировать и преобразовывать электромагнитные колебания до частот порядка нескольких сотен гигагерц усилительные свойства сохраняются в интервале температур от —200 до + 400°С Усилители на туннельных диодах обладают очень высоким коэффициентом усиления и сравнительно низким уровнем шумов возможно конструировать математические машины, обладающие очень большой скоростью счета и высокой надежностью нечувствительны к ядерной радиации
Изображение слайда
